Drukuj stronę
FS200R07N3E4RBOSA1
moduł IGBT, 6x (mostek pełny), 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS200R07N3E4RBOSA1
Nr katalogowy Farnell2839517
Asortyment produktówEconoPACK 3
Inna nazwaFS200R07N3E4R, SP000843678
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 14 tydzień (tygodnie)
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 386,470 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 10
Wiele: 10
3 864,70 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFS200R07N3E4RBOSA1
Nr katalogowy Farnell2839517
Asortyment produktówEconoPACK 3
Inna nazwaFS200R07N3E4R, SP000843678
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBT6x (mostek pełny)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC200A
Prąd ciągły kolektora200A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.55V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.55V
Rozproszenie mocy600W
Rozpraszanie mocy Pd600W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Temperatura robocza, maks.150°C
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoPACK 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
6x (mostek pełny)
Prąd kolektora DC
200A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.55V
Rozproszenie mocy
600W
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoPACK 3
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
200A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.55V
Rozpraszanie mocy Pd
600W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001