Drukuj stronę
FZ250R65KE3NPSA1
moduł IGBT, pojedyncze, 250 A, 3 V, 4.8 kW, 125 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ250R65KE3NPSA1
Nr katalogowy Farnell3703510
Inna nazwaFZ250R65KE3, SP000975420
Karta katalogowa
4 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 3 138,840 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
3 138,84 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ250R65KE3NPSA1
Nr katalogowy Farnell3703510
Inna nazwaFZ250R65KE3, SP000975420
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpojedyncze
Prąd ciągły kolektora250A
Prąd kolektora DC250A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)3V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter3V
Rozproszenie mocy4.8kW
Rozpraszanie mocy Pd4.8kW
Temperatura złącza Tj, maks.125°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter6.5kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo6.5kV
Technologia IGBTIGBT 3
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
pojedyncze
Prąd kolektora DC
250A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
3V
Rozpraszanie mocy Pd
4.8kW
Temperatura robocza, maks.
125°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
6.5kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
250A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
3V
Rozproszenie mocy
4.8kW
Temperatura złącza Tj, maks.
125°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
6.5kV
Technologia IGBT
IGBT 3
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002268