Drukuj stronę
FZ600R17KE3HOSA1
moduł IGBT, przełącznik pojedynczy, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ600R17KE3HOSA1
Nr katalogowy Farnell2726204
Asortyment produktówStandard 62mm C
Inna nazwaFZ600R17KE3, SP000100778
Karta katalogowa
68 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 625,400 zł |
| 5+ | 562,860 zł |
| 10+ | 513,320 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
625,40 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFZ600R17KE3HOSA1
Nr katalogowy Farnell2726204
Asortyment produktówStandard 62mm C
Inna nazwaFZ600R17KE3, SP000100778
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTprzełącznik pojedynczy
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC840A
Prąd ciągły kolektora840A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)2V
Rozpraszanie mocy Pd3.15kW
Rozproszenie mocy3.15kW
Temperatura złącza Tj, maks.125°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.7kV
Temperatura robocza, maks.125°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTtypu płaskiego
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówStandard 62mm C
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
przełącznik pojedynczy
Prąd kolektora DC
840A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2V
Rozpraszanie mocy Pd
3.15kW
Temperatura złącza Tj, maks.
125°C
Temperatura robocza, maks.
125°C
Zakończenie IGBT
typu płaskiego
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
Standard 62mm C
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
840A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
2V
Rozproszenie mocy
3.15kW
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.7kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.348132
Śledzenie produktu