Drukuj stronę
GS66502BTRXUMA1
tranzystor GaN, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Zgłoś tutaj swoje zainteresowanie
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 52,960 zł |
| 5+ | 43,970 zł |
| 10+ | 36,590 zł |
| 50+ | 33,080 zł |
| 100+ | 29,290 zł |
| 250+ | 28,700 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
52,96 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaGS66502BTRXUMA1
Nr katalogowy Farnell4715942
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds650V
Prąd ciągły Id drenu7.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.26ohm
Rodzaj ładunku bramki (Qg)1.6nC
Rodzaj obudowy tranzystoraGaNPX
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
650V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.26ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
GaNPX
Liczba pinów
3Pins
Kwalifikacja
-
Prąd ciągły Id drenu
7.5A
Rodzaj ładunku bramki (Qg)
1.6nC
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu