Drukuj stronę
IGLR70R270D2SXUMA1
tranzystor GaN, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGLR70R270D2SXUMA1
Nr katalogowy Farnell4694675RL
Inna nazwaIGLR70R270D2S, SP006123216
Karta katalogowa
4 995 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,920 zł |
| 500+ | 3,320 zł |
| 1000+ | 2,830 zł |
| 5000+ | 2,410 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
412,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGLR70R270D2SXUMA1
Nr katalogowy Farnell4694675RL
Inna nazwaIGLR70R270D2S, SP006123216
Karta katalogowa
Specyfikacja
IGLR70R270D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.270 ohm typ at IG =5.6mA; ID =1.7A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu