IGW15T120FKSA1

IGW15T120 to układ IGBT o niskiej stratności, w technologii TrenchStop® i field-stop. Technologia TrenchStop® IGBT prowadzi do znacznej poprawy statycznej i dynamicznej wydajności urządzenia, dzięki połączeniu ogniwa TrenchStop® i koncepcji field-stop. Połączenie IGBT z diodą sterowaną emiterem z regeneracją typu soft recovery dodatkowo minimalizuje straty przy włączaniu. Najwyższą sprawność osiąga się dzięki najlepszemu kompromisowi między stratami przełączania i przewodzenia.

• Najmniejszy spadek Vce (sat) dla mniejszych strat przewodzenia
• Niskie straty przełączania
• Łatwość przełączania równoległego dzięki dodatniemu współczynnikowi temperatury w Vce (sat)
• Dioda przeciwrównoległa o łagodnym i szybkim przebiegu regeneracji, sterowana emiterem
• Parametry robocze o wysokim poziomie niezawodności i stabilności temperaturowej
• Niewielki zakres emisji EMI
• Niski ładunek bramki
• Precyzyjnie określone parametry
• Najwyższy poziom wydajności - niewielkie straty przewodzenia i przełączania
• Wysoki poziom niezawodności układu
• Czas wytrzymałości przeciwzwarciowej: 10 µs

Ostrzeżenia

Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.