Drukuj stronę
IGW30N60H3FKSA1
IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGW30N60H3FKSA1
Nr katalogowy Farnell2725780
Inna nazwaIGW30N60H3, SP000852242
Karta katalogowa
8 665 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 14,350 zł |
| 10+ | 7,810 zł |
| 100+ | 6,370 zł |
| 500+ | 5,280 zł |
| 1000+ | 5,190 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
14,35 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGW30N60H3FKSA1
Nr katalogowy Farnell2725780
Inna nazwaIGW30N60H3, SP000852242
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora60A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Rozproszenie mocy187W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IGW30N60H3FKSA1 to dyskretny tranzystor IGBT, 600 V, 30 A, w 3-pinowej obudowie TO-247. Typowe zastosowania obejmują zasilacze UPS, przetwornice spawalnicze oraz przetwornice o wysokiej częstotliwości przełączania.
- Prąd kolektora impulsowego wynosi 120A
- Napięcie bramka-emiter wynosi ±20 V
- Strata mocy wynosi 187 W, TC = 25°C
- Niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych
- Dioda przeciwrównoległa o łagodnym przewodzeniu i szybkim odzysku
- Zakres roboczej temperatury połączeniowej: od -40 do +175°C
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
60A
Rozproszenie mocy
187W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IGW30N60H3FKSA1
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.008981
Śledzenie produktu