Drukuj stronę
IMBG120R220M1HXTMA1
MOSFET - węglik krzemu, pojedyncze, Kanał typu N, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
1 169 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 12,150 zł |
| 500+ | 12,070 zł |
| 1000+ | 9,830 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
1 235,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIMBG120R220M1HXTMA1
Nr katalogowy Farnell3582466RL
Asortyment produktówCoolSiC
Inna nazwaIMBG120R220M1H, SP004463796
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły Id drenu13A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.22ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.22ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Liczba pinów7Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)18V
Napięcie progowe Vgs4.5V
Rozproszenie mocy83W
Rozpraszanie mocy Pd83W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówCoolSiC
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.22ohm
Liczba pinów
7Pins
Napięcie progowe Vgs
4.5V
Rozpraszanie mocy Pd
83W
Asortyment produktów
CoolSiC
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
13A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.22ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
18V
Rozproszenie mocy
83W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001588
Śledzenie produktu