Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 12,450 zł |
| 500+ | 11,390 zł |
| 1000+ | 10,300 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The IPB60R099C6 is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET offers easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Better light load efficiency
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Improved power density
- Improved reliability
- General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
Uwagi
Zaleca się zastosowanie koralików ferrytowych na bramce lub oddzielnych układów typu „totem pole” w celu połączenia równoległego tranzystorów MOSFET.
Specyfikacje techniczne
Kanał typu N
37.9A
TO-263 (D2PAK)
10V
278W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
650V
0.09ohm
montaż powierzchniowy
3V
3Pins
-
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu