Drukuj stronę
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 120 V, 35 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
7 123 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,600 zł |
| 500+ | 2,670 zł |
| 1000+ | 2,460 zł |
| 5000+ | 2,410 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
380,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD35N12S3L24ATMA1
Nr katalogowy Farnell3227638RL
Asortyment produktówOptiMOS-T
Inna nazwaIPD35N12S3L-24, SP001398656
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Napięcie drenu / źródła Vds120V
Prąd ciągły Id drenu35A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.02ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.7V
Rozproszenie mocy71W
Rozpraszanie mocy Pd71W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS-T
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
120V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
71W
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
OptiMOS-T
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły Id drenu
35A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
71W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00068
Śledzenie produktu