Drukuj stronę
IPD50R1K4CEAUMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD50R1K4CEAUMA1
Nr katalogowy Farnell2781085RL
Asortyment produktówCoolMOS CE
Inna nazwaIPD50R1K4CE, SP001396808
Karta katalogowa
1 261 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,020 zł |
| 500+ | 0,780 zł |
| 1000+ | 0,700 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
122,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPD50R1K4CEAUMA1
Nr katalogowy Farnell2781085RL
Asortyment produktówCoolMOS CE
Inna nazwaIPD50R1K4CE, SP001396808
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds500V
Prąd ciągły Id drenu4.8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.26ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)13V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy42W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówCoolMOS CE
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
4.8A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
13V
Rozproszenie mocy
42W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Napięcie drenu / źródła Vds
500V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.26ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
CoolMOS CE
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (4)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907