Drukuj stronę
IPG20N10S4L35AATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N10S4L35AATMA1
Nr katalogowy Farnell3958712RL
Asortyment produktówSeria OptiMOS T2
Inna nazwaSP001091928, IPG20N10S4L-35A
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 14 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,320 zł |
| 500+ | 2,640 zł |
| 1000+ | 2,510 zł |
| 5000+ | 2,100 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
352,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N10S4L35AATMA1
Nr katalogowy Farnell3958712RL
Asortyment produktówSeria OptiMOS T2
Inna nazwaSP001091928, IPG20N10S4L-35A
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Prąd ciągły Id drenu20A
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.029ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.029ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N43W
Rozproszenie mocy, kanał typu P43W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówSeria OptiMOS T2
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.029ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
43W
Asortyment produktów
Seria OptiMOS T2
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Prąd ciągły Id drenu
20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.029ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
43W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003
Śledzenie produktu