Drukuj stronę
IPP60R330P6XKSA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 12 A, 0.297 ohm, TO-220, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPP60R330P6XKSA1
Nr katalogowy Farnell2781181
Asortyment produktówCoolMOS P6
Inna nazwaIPP60R330P6, SP001017060
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPP60R330P6XKSA1
Nr katalogowy Farnell2781181
Asortyment produktówCoolMOS P6
Inna nazwaIPP60R330P6, SP001017060
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu12A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.297ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy93W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówCoolMOS P6
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IPP60R330P6XKSA1
Znaleziono 6 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
12A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
93W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.297ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
CoolMOS P6
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu