Drukuj stronę
IPT60R040S7XTMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPT60R040S7XTMA1
Nr katalogowy Farnell3577360RL
Asortyment produktówCoolMOS SJ S7
Inna nazwaIPT60R040S7, SP003393022
Karta katalogowa
32 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 10+ | 17,640 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 10
Wiele: 1
196,40 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPT60R040S7XTMA1
Nr katalogowy Farnell3577360RL
Asortyment produktówCoolMOS SJ S7
Inna nazwaIPT60R040S7, SP003393022
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Napięcie drenu / źródła Vds600V
Prąd ciągły Id drenu13A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.036ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.036ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraHSOF
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)12V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy245W
Rozpraszanie mocy Pd245W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówCoolMOS SJ S7
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
600V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.036ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
HSOF
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
12V
Rozproszenie mocy
245W
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
CoolMOS SJ S7
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły Id drenu
13A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.036ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Rozpraszanie mocy Pd
245W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu