Drukuj stronę
IRF4905PBF
MOSFET mocy, Kanał typu P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF4905PBF
Nr katalogowy Farnell8648190
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001571330
Karta katalogowa
69 003 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 8,820 zł |
| 10+ | 5,150 zł |
| 100+ | 4,430 zł |
| 500+ | 3,640 zł |
| 1000+ | 3,440 zł |
| 5000+ | 3,190 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
8,82 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF4905PBF
Nr katalogowy Farnell8648190
Asortyment produktówHEXFET Series
Inna nazwaSP001571330
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds55V
Prąd ciągły Id drenu74A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.02ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220AB
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy200W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówHEXFET Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IRF4905PBF jest pojedynczym, P-kanałowym transformatorem HEXFET mocy -55V, umieszczonym w obudowie TO-220AB. Produkt ten ma bardzo niską rezystancję trybu „on" na obszar krzemowy oraz dynamiczne parametry dV/dt. Jest solidny, zapewnia szybkie przełączanie i pełne parametry lawinowe. MOSFET ten jest doskonale znany z zapewniania bardzo dużej wydajności i niezawodności, która może być zastosowana w szerokiej gamie aplikacji.
- Napięcie dren-źródło (Vds): -55V
- Napięcie bramka-źródło: ±20V
- Rezystancja trybu ON - Rds(on): 20mohm przy -10V (Vgs)
- Straty mocy Pd: 200W przy 25°C
- Ciągły prąd drenu (Id): -74A przy Vgs 10V i 25°C
- Zakres temperatury połączeniowej od -55°C do 175°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
74A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220AB
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
200W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
55V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.02ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
HEXFET Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002041