Drukuj stronę
IRF7425TRPBF
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF7425TRPBF
Nr katalogowy Farnell2468022
Inna nazwaSP001555316
Karta katalogowa
822 W Magazynie
4 000 Można teraz zarezerwować na zapas
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 5,490 zł |
| 50+ | 3,510 zł |
| 250+ | 2,630 zł |
| 1000+ | 2,080 zł |
| 2000+ | 2,020 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
27,45 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRF7425TRPBF
Nr katalogowy Farnell2468022
Inna nazwaSP001555316
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu15A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”8200µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1.2V
Rozproszenie mocy2.5W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IRF7425TRPBF to pojedynczy, P-kanałowy tranzystor MOSFET mocy HEXFET®, który jest kompatybilny z obecnymi technikami montażu powierzchniowego.
- Przemysłowy, standardowy układ pinów dla kompatybilność z opcjami od wielu sprzedawców
- Bezhalogenowe
- Kwalifikacja konsumencka: MSL-1 (zwiększona niezawodność)
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
15A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
2.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
8200µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.2V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (4)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IRF7425TRPBF
Znaleziono 2 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000232
Śledzenie produktu