Drukuj stronę
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRG4BC30KDPBF
Nr katalogowy Farnell8650390
Asortyment produktówIRG4
Inna nazwaSP001532644
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora28A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.21V
Rozproszenie mocy100W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220AB
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktówIRG4
Specyfikacja
The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.
- Combines low conduction losses with high switching speed
- Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
- IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes
- Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
28A
Rozproszenie mocy
100W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220AB
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
IRG4
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.21V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002667