Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRG4IBC30UDPBF
Nr katalogowy Farnell8650470
Inna nazwaSP001540446
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRG4IBC30UDPBF
Nr katalogowy Farnell8650470
Inna nazwaSP001540446
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora17A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Rozproszenie mocy45W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220FP
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The IRG4IBC30UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It is optimized for high operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, <gt/>200kHz in resonant mode. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes.
- Tighter parameter distribution
- Simplified assembly
- High efficiency and power density
- HEXFRED™ anti-parallel diode minimizes switching losses and EMI
- 4.8mm Creepage distance to heat sink
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
17A
Rozproszenie mocy
45W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220FP
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002