Drukuj stronę
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRG4PH40UPBF
Nr katalogowy Farnell8650691
Asortyment produktówIRG4
Inna nazwaSP001549516
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora41A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.43V
Rozproszenie mocy160W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówIRG4
Specyfikacja
The IRG4PH40UPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor optimized for high operating frequencies up to 40kHz in hard switching, <gt/>200kHz in resonant mode. The new IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. It is optimized for power conversion, SMPS, UPS and welding.
- High switching frequency capability than competitive IGBTs
- High efficiency
- Much lower conduction losses than MOSFETs
- More efficient than short-circuit rated IGBTs
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
41A
Rozproszenie mocy
160W
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
IRG4
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.43V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Temperatura robocza, maks.
150°C
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00567