Drukuj stronę
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIRG4PSC71UDPBF
Nr katalogowy Farnell8650764
Asortyment produktówIRG4
Inna nazwaSP001545818
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora85A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.95V
Rozproszenie mocy350W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-274AA
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktówIRG4
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IRG4PSC71UDPBF
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
The IRG4PSC71UDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations. The IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations.
- Creepage distance increased to 5.35mm
- High efficiency
- Maximum power density
- Optimized for specific application conditions
- HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
85A
Rozproszenie mocy
350W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-274AA
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
IRG4
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.95V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.006804
Śledzenie produktu