Drukuj stronę
S29GL01GS11TFIV10
Pamięć flash, Równoległa NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, równoległy, TSOP, 56 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaS29GL01GS11TFIV10
Nr katalogowy Farnell3261703
Asortyment produktów3V Parallel NOR Flash Memories
Inna nazwaSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Karta katalogowa
385 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 53,000 zł |
| 10+ | 49,460 zł |
| 25+ | 48,280 zł |
| 50+ | 46,380 zł |
| 100+ | 45,240 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
53,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaS29GL01GS11TFIV10
Nr katalogowy Farnell3261703
Asortyment produktów3V Parallel NOR Flash Memories
Inna nazwaSP005673807, S29GL01GS11TFIV10
Karta katalogowa
Typ pamięci flashRównoległa NOR
Gęstość pamięci1Gbit
Konfiguracja pamięci128M x 8bit
InterfejsyCFI, równoległy
Obudowa układu ICTSOP
Liczba pinów56Pins
Maks. częstotliwość zegara-
Czas dostępu110ns
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów3V Parallel NOR Flash Memories
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
S29GL01GS11TFIV10 to pamięć NOR flash równoległa MIRRORBIT™ Eclipse o pojemności 128 M × 8 bit (1 Gbit) wykonaną w technologii 65 nm. Idealnie nadaje się do zastosowań wbudowanych, które wymagają większej gęstości, lepszej wydajności i niższego poboru mocy.
- Rdzeń CMOS 3,0 V z uniwersalnym wejściem/wyjściem, czasem dostępu losowego 110 ns, interfejsami równoległymi CFI
- VIO = 1,65 V do VCC, VCC = 2,7 V do 3,6 V, chroniony sektor najwyższego adresu
- Funkcja uniwersalnego wejścia/wyjścia, szeroki zakres napięć wejścia/wyjścia (VIO): od 1,65 V do VCC i magistrali danych ×16
- Asynchroniczny odczyt strony 32-bajtowej, 512-bajtowy bufor programowania
- Opcje programowania pojedynczego słowa lub wielokrotnego zapisu tego samego słowa
- Automatyczne sprawdzanie i korekcja błędów (ECC) – wewnętrzny sprzętowy ECC z korekcją błędów pojedynczych bitów
- Polecenia zawieszenia / wznowienia działania do operacji programowania i wymazywania
- Rejestr stanu, sondowanie danych oraz metoda pinów gotowości/zajętości do określania stanu urządzenia
- 100 000 cykli programowania/kasowania, 20 lat retencji danych, oddzielna tablica OTP 1024 bajty z 2 blokowanymi obszarami
- Obudowa TSOP 56-pinowa, przemysłowy zakres temperatury roboczej od -40 do 85°C
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
Równoległa NOR
Konfiguracja pamięci
128M x 8bit
Obudowa układu IC
TSOP
Maks. częstotliwość zegara
-
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
3V Parallel NOR Flash Memories
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Gęstość pamięci
1Gbit
Interfejsy
CFI, równoległy
Liczba pinów
56Pins
Czas dostępu
110ns
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001361
Śledzenie produktu