Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPD04N80C3ATMA1
Nr katalogowy Farnell1664108RL
Inna nazwaSPD04N80C3, SP001117768
Karta katalogowa
6 037 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,840 zł |
| 500+ | 2,810 zł |
| 1000+ | 2,780 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
304,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPD04N80C3ATMA1
Nr katalogowy Farnell1664108RL
Inna nazwaSPD04N80C3, SP001117768
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds800V
Prąd ciągły Id drenu4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.3ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy63W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
SPD04N80C3ATMA1 to tranzystor mocy CoolMOS™. Jest przeznaczony do zastosowań przemysłowych z wysokim napięciem zbiorczym DC i do zastosowań przełączających (tj. przewodzenie z aktywnym odcięciem). Potencjalne zastosowania obejmują urządzenia konsumenckie, zasilanie komputerów PC, adaptery, oświetlenie i energia słoneczna.
- Nowa, rewolucyjna technologia wysokonapięciowa
- Ekstremalne wartości znamionowe dv/dt, wysoka wartość szczytowa prądu
- Pełna kwalifikacja zgodnie z JEDEC do zastosowań przemysłowych
- Bardzo niski ładunek bramki, bardzo niskie efektywne pojemności
- Wysoka wydajność i gęstość mocy, korzystny stosunek kosztu do wydajności
- Wysoka niezawodność, łatwość obsługi
- Napięcie przebicia dren-źródło wynosi 800 V przy VGS=0V, ID=250 µA
- Rezystancja w stanie dren-źródło wynosi 1,3 oma przy VGS=10V, ID=2,5A, Tj=25°C
- Całkowity ładunek bramki wynosi typowo 23nC przy VDD=640V, ID=4A, VGS=0 do 10V
- Rodzaj obudowy: PG-TO252-3, zakres temperatury roboczej i przechowywania: -55 do 150°C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
4A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
63W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
800V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.3ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SPD04N80C3ATMA1
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003
Śledzenie produktu