Drukuj stronę
C106MG
Tyrystor, 600 V, 200 µA, 2.55 A, 4 A, TO-225AA, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaC106MG
Nr katalogowy Farnell2535529
Asortyment produktówC106
Karta katalogowa
3 959 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,530 zł |
| 10+ | 3,470 zł |
| 100+ | 2,300 zł |
| 500+ | 1,650 zł |
| 1000+ | 1,340 zł |
| 5000+ | 1,240 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
5,53 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaC106MG
Nr katalogowy Farnell2535529
Asortyment produktówC106
Karta katalogowa
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm600V
Prąd przełączający bramki Igt, maks.200µA
Prąd It, średni2.55A
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)4A
Rodzaj obudowy tyrystoraTO-225AA
Liczba pinów3Pins
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz20A
Prąd podtrzymania Ih, maks.3mA
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.800mV
Temperatura robocza, maks.110°C
Do montażu na tyrystorzePrzewlekany
Asortyment produktówC106
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Specyfikacja
The C106MG is a Reverse Blocking Thyristor/Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier designed for high volume consumer applications such as temperature, light and speed control. This glassivated PNPN device is ideal for process and remote control and warning systems where reliability of operation is important. It has flat, rugged, Thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation and durability.
- Glassivated surface for reliability and uniformity
- Power rated at economical prices
- Practical level triggering and holding characteristics
- Sensitive gate triggering
- 0.5W Forward peak gate power
- 0.1W Forward average gate power
- 0.2A Forward peak gate current
- 3°C/W Thermal resistance, junction-to-case
Specyfikacje techniczne
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm
600V
Prąd It, średni
2.55A
Rodzaj obudowy tyrystora
TO-225AA
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz
20A
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.
800mV
Do montażu na tyrystorze
Przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Prąd przełączający bramki Igt, maks.
200µA
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)
4A
Liczba pinów
3Pins
Prąd podtrzymania Ih, maks.
3mA
Temperatura robocza, maks.
110°C
Asortyment produktów
C106
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00068
Śledzenie produktu