Drukuj stronę
NGD8205ANT4G
IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 350 V, TO-252 (DPAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaNGD8205ANT4G
Nr katalogowy Farnell2114670
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora20A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.3V
Rozproszenie mocy125W
Maks. napięcie kolektor-emiter350V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NGD8205ANT4G
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
The NGD8205ANT4G is a 300V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
- Ideal for coil on plug and driver on coil applications
- Gate-emitter ESD protection
- Temperature compensated gate-collector voltage clamp limits stress applied to load
- Integrated ESD diode protection
- Low threshold voltage interfaces power loads to logic or microprocessor devices
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
20A
Rozproszenie mocy
125W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.3V
Maks. napięcie kolektor-emiter
350V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907