DN2535N3-G

DN2535N3-G jest N-kanałowym tranzystorem DMOS FET w układzie pionowym. Wykorzystuje zaawansowaną, pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces wytwarzania bramki krzemowej Supertex. Połączenie tych cech daje efekt w postaci układu z wydajnością tranzystorów bipolarnych, a także z wysoką wartością impedancji / dodatnim współczynnikiem temperaturowym właściwym dla układów MOS. Tranzystor ten nie ma upływu termicznego ani wtórnego przebicia termicznego, co jest charakterystyczne dla wszystkich struktur MOS. Tranzystor DMOS FET z niską wartością progową jest idealnie dopasowany dla szerokiej gamy aplikacji przełączania oraz wzmacniania, w których pożądane są: wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa oraz duże prędkości przełączania.

• Niska rezystancja w trybie „on”
• Bez przebicia wtórnego
• Niski upływ wejściowy oraz wyjściowy