Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Nr katalogowy Farnell3530753
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Twój numer części
Karta katalogowa
872 W Magazynie
1 920 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 48,700 zł |
| 10+ | 45,200 zł |
| 25+ | 43,800 zł |
| 50+ | 43,630 zł |
| 100+ | 43,420 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
48,70 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT25QL01GBBB1EW9-0SIT
Nr katalogowy Farnell3530753
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Karta katalogowa
Typ pamięci flashSzeregowa NOR
Gęstość pamięci1Gbit
Konfiguracja pamięci256M x 4bit
InterfejsySPI
Obudowa układu ICWPDFN
Liczba pinów8Pins
Maks. częstotliwość zegara133MHz
Czas dostępu-
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT is a serial NOR flash memory. The MT25Q is a high-performance multiple input/output serial flash memory device. It features a high-speed SPI-compatible bus interface, execute-in-place (XIP) functionality, advanced write protection mechanisms, and extended address access. Innovative, high-performance, dual and quad input/output commands enable double or quadruple the transfer bandwidth for READ and PROGRAM operations.
- SPI-compatible serial bus interface, single and double transfer rate (STR/DTR)
- Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
- Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operation, volatile/non-volatile configuration setting
- Additional reset pin for selected part numbers
- Erase performance: 400KB/sec (64KB sector), erase performance: 80KB/sec (4KB sub-sector)
- JESD47H-compliant: min, 100,000 ERASE cycles per sector, data retention: 20 years (TYP)
- 2.7 to 3.6V voltage rating, 64KB sectors, 4KB and 32KB subsectors
- 1Gb (128MB) density
- 8-pin W-PDFN package
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
Szeregowa NOR
Konfiguracja pamięci
256M x 4bit
Obudowa układu IC
WPDFN
Maks. częstotliwość zegara
133MHz
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
3V Serial NOR Flash Memories
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gęstość pamięci
1Gbit
Interfejsy
SPI
Liczba pinów
8Pins
Czas dostępu
-
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001445
Śledzenie produktu