Drukuj stronę
MT25QL02GCBB8E12-0SIT
Pamięć flash, Szeregowa NOR, 2 Gbit, 256M x 8bit, SPI, TBGA, 24 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT25QL02GCBB8E12-0SIT
Nr katalogowy Farnell3577541
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Karta katalogowa
4 083 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 94,320 zł |
| 5+ | 89,590 zł |
| 10+ | 82,970 zł |
| 25+ | 80,310 zł |
| 50+ | 76,380 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
94,32 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT25QL02GCBB8E12-0SIT
Nr katalogowy Farnell3577541
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Karta katalogowa
Typ pamięci flashSzeregowa NOR
Gęstość pamięci2Gbit
Konfiguracja pamięci256M x 8bit
InterfejsySPI
Obudowa układu ICTBGA
Liczba pinów24Pins
Maks. częstotliwość zegara133MHz
Czas dostępu-
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów3V Serial NOR Flash Memories
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT25QL02GCBB8E12-0SIT to wysokowydajny układ pamięci szeregowej flash z wieloma wejściami i wyjściami. Posiada szybki interfejs magistrali zgodny z SPI, funkcjonalność execute-in-place (XIP), zaawansowane mechanizmy ochrony przed zapisem i rozszerzony dostęp do adresów. Innowacyjne, wydajne, podwójne i poczwórne polecenia wejścia/wyjścia umożliwiają dwu- lub czterokrotne zwiększenie przepustowości transferu dla operacji READ i PROGRAM.
- Układ piętrowany (cztery kości 512 Mb), interfejs magistrali szeregowej zgodny z SPI
- Podwójne/poczwórne polecenia we/wy zwiększające przepustowość do 90 MB/s
- Operacje PROGRAM/ERASE SUSPEND, dodatkowy pin resetujący dla wybranych numerów części
- Zgodność z JESD47H, minimum 100 000 cykli ERASE na sektor, przechowywanie danych: 20 lat (typowo)
- Obsługiwane protokoły w STR i DTR, rozszerzony protokół we/wy, podwójny protokół we/wy, poczwórny protokół we/wy
- Tryby adresowania 3-bajtowego i 4-bajtowego: umożliwiają dostęp do pamięci powyżej 128Mb
- Napięcie znamionowe od 2,7 do 3,6 V, gęstość 2 Gb
- Rozmiar sektora 64 KB, konfiguracja pinów RESET# i HOLD#
- Obudowa TBGA24
- Zakres temperatury roboczej od -40 °C do +85 °C
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
Szeregowa NOR
Konfiguracja pamięci
256M x 8bit
Obudowa układu IC
TBGA
Maks. częstotliwość zegara
133MHz
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
3V Serial NOR Flash Memories
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gęstość pamięci
2Gbit
Interfejsy
SPI
Liczba pinów
24Pins
Czas dostępu
-
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000907