Drukuj stronę
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Pamięć flash, SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8bit, Równoległe, TSOP, 48 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Nr katalogowy Farnell3861373
Asortyment produktów3.3V Parallel NAND Flash Memories
Karta katalogowa
390 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 16,370 zł |
| 10+ | 15,280 zł |
| 25+ | 14,560 zł |
| 50+ | 13,080 zł |
| 100+ | 12,620 zł |
| 250+ | 12,320 zł |
| 500+ | 11,940 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
16,37 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Nr katalogowy Farnell3861373
Asortyment produktów3.3V Parallel NAND Flash Memories
Karta katalogowa
Typ pamięci flashSLC NAND
Gęstość pamięci4Gbit
Konfiguracja pamięci512M x 8bit
InterfejsyRównoległe
Obudowa układu ICTSOP
Liczba pinów48Pins
Maks. częstotliwość zegara50MHz
Czas dostępu-
Napięcie zasilania, min.-
Napięcie zasilania, maks.-
Napięcie zasilania, znamionowe3.3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Asortyment produktów3.3V Parallel NAND Flash Memories
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required after power-on
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- 4Gb density, 8-bit device width, 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP type 1 package, automotive temperature range from -40°C to +105°C
Specyfikacje techniczne
Typ pamięci flash
SLC NAND
Konfiguracja pamięci
512M x 8bit
Obudowa układu IC
TSOP
Maks. częstotliwość zegara
50MHz
Napięcie zasilania, min.
-
Napięcie zasilania, znamionowe
3.3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gęstość pamięci
4Gbit
Interfejsy
Równoległe
Liczba pinów
48Pins
Czas dostępu
-
Napięcie zasilania, maks.
-
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
105°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001