Potrzebujesz więcej?
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 18,690 zł |
10+ | 17,430 zł |
25+ | 16,920 zł |
50+ | 16,500 zł |
100+ | 16,120 zł |
250+ | 15,610 zł |
500+ | 15,230 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
MT47H32M16NF-25E IT:H is a DDR2 SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is essentially for 4n-prefetch architecture, with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O balls. A single READ or WRITE operation for the DDR2 SDRAM consists of a single 4n-bitwide, two-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and four corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O balls. It has JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) with differential data strobe (DQS, DQS#) option.
- Operating voltage range is 1.8V (VDD)
- 32Meg x 16 configuration, adjustable data-output drive strength
- Packaging style is 84-ball 8mm x 12.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 2.5ns at CL = 5 (DDR2-800)
- 4n-bit prefetch architecture
- Data rate is 800MT/s
- DLL to align DQ and DQS transitions with CK, programmable CAS latency (CL)
- Posted CAS additive latency (AL), WRITE latency = READ latency - 1ᵗCK
- Adjustable data-output drive strength, 64ms, 8192-cycle refresh
- On-die termination (ODT), supports JEDEC clock jitter specification
Specyfikacje techniczne
DDR2
32M x 16bit
TFBGA
1.8V
-40°C
-
No SVHC (17-Dec-2015)
512Mbit
400MHz
84Pins
Montaż powierzchniowy
95°C
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu