Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT48LC2M32B2B5-6A IT:J
Nr katalogowy Farnell4050867
Karta katalogowa
589 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 30,170 zł |
10+ | 28,060 zł |
25+ | 27,180 zł |
50+ | 24,430 zł |
100+ | 23,840 zł |
250+ | 23,040 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
30,17 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT48LC2M32B2B5-6A IT:J
Nr katalogowy Farnell4050867
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMSDR
Gęstość pamięci64Mbit
Konfiguracja pamięci2M x 32bit
Maks. częstotliwość zegara167MHz
Obudowa układu ICVFBGA
Liczba pinów90Pins
Napięcie zasilania, znamionowe3.3V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT48LC2M32B2B5-6A IT:J is a SDR SDRAM. It uses a 64Mb SDRAM and a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 67,108,864 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 67,108,864-bit banks are organized as 8192 rows by 2048 columns by 4 bits. Each of the 16,777,216-bit banks are organized as 2048 rows by 256 columns by 32bits. It supports CAS latency (CL) of 1, 2, and 3.
- Operating supply voltage range is 3V to 3.6V (VDD, VDDQ)
- 2Meg x 32 configuration (512K x 32 x 4 banks), PC100-compliant
- Packaging style is 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)
- Clock frequency is 167MHz, auto refresh
- Industrial temperature range is –40˚C to +85˚C
- Fully synchronous to all signals registered on positive edge of system clock
- Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle
- Internal banks for hiding row access/precharge
- Auto precharge, includes concurrent auto precharge and auto refresh modes
- LVTTL-compatible inputs and outputs
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
SDR
Konfiguracja pamięci
2M x 32bit
Obudowa układu IC
VFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
3.3V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
64Mbit
Maks. częstotliwość zegara
167MHz
Liczba pinów
90Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001