Drukuj stronę
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E1G32D2FW-046 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3935599
Karta katalogowa
1 094 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 323,630 zł |
| 5+ | 311,180 zł |
| 10+ | 298,730 zł |
| 25+ | 288,940 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
323,63 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E1G32D2FW-046 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3935599
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMLPDDR4
Gęstość pamięci32Gbit
Konfiguracja pamięci1G x 32bit
Maks. częstotliwość zegara2.133GHz
Obudowa układu ICTFBGA
Liczba pinów200Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.1V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B is an automotive LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- Frequency range: 2133–10MHz (data rate range per pin: 4266–20Mb/s)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16/32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1 Gig x 32 (2 channels x 16 I/O) array configuration
- 200-ball TFBGA package, AEC-Q100 qualified
- Operating temperature range from -40°C to +95°C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
LPDDR4
Konfiguracja pamięci
1G x 32bit
Obudowa układu IC
TFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.1V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gęstość pamięci
32Gbit
Maks. częstotliwość zegara
2.133GHz
Liczba pinów
200Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu