Drukuj stronę
MT53E2G64D8TN-046 WT:A
DRAM, LPDDR4, 128 Gbit, 2G x 64bit, 2.133 GHz, LFBGA, 556 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E2G64D8TN-046 WT:A
Nr katalogowy Farnell3652202
Karta katalogowa
670 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 436,430 zł |
| 5+ | 416,810 zł |
| 10+ | 395,920 zł |
| 25+ | 381,740 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
436,43 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT53E2G64D8TN-046 WT:A
Nr katalogowy Farnell3652202
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMLPDDR4
Gęstość pamięci128Gbit
Konfiguracja pamięci2G x 64bit
Maks. częstotliwość zegara2.133GHz
Obudowa układu ICLFBGA
Liczba pinów556Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.1V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-25°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MT53E2G64D8TN-046 WT:A
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
MT53E2G64D8TN-046 WT:A to pamięć DRAM LPDDR4. Ma gęstość 128 Gbit.
- Konfiguracja pamięci 2G x 64bit, montaż powierzchniowy
- Maksymalna częstotliwość taktowania 2,133 GHz
- Rodzaj obudowy: 556 wyprowadzenia, LFBGA
- Nominalne napięcie zasilania 1,1 V
- Zakres temperatury roboczej od -25°C do 85 °C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
LPDDR4
Konfiguracja pamięci
2G x 64bit
Obudowa układu IC
LFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.1V
Temperatura robocza, min.
-25°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
128Gbit
Maks. częstotliwość zegara
2.133GHz
Liczba pinów
556Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002268