Drukuj stronę
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32bit, 3.75 GHz, TFBGA, 315 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F2G32D4DS-026 AAT:B
Nr katalogowy Farnell4050913
Karta katalogowa
162 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 898,940 zł |
| 5+ | 863,750 zł |
| 10+ | 828,510 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
898,94 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F2G32D4DS-026 AAT:B
Nr katalogowy Farnell4050913
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMMobile LPDDR5
Gęstość pamięci64Gbit
Konfiguracja pamięci2G x 32bit
Maks. częstotliwość zegara3.75GHz
Obudowa układu ICTFBGA
Liczba pinów315Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.05V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.105°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
- Pamięć mobilna LPDDR5 SDRAM Y42M
- Maksymalna przepustowość 17,1 GB/s na kanał, możliwość wyboru CKR (WCK:CK = 2:1 lub 4:1)
- Pojedynczy kanał/kości x16, wprowadzanie polecenia/adresu o podwójnej szybkości transmisji danych
- Zegary różnicowe danych (WCK_t/WCK_c), kalibracja ZQ w tle / oparta na poleceniach
- Częściowe samoczynne odświeżanie tablicy (PASR) i częściowe automatyczne odświeżanie tablicy (PAAR) z maską segmentu
- Typ I/O: single-ended o niskim zakresie drgań, zakończenie VSS, sterowanie wyjściem z kompensacją VOH
- Rdzeń skalowania częstotliwości napięcia dynamicznego, CK single-ended, WCK single-ended, RDQS single-ended
- Napięcie robocze wynosi 1,05 V VDD2/0,5 V VDDQ, kwalifikacja do zastosowań motoryzacyjnych
- Konfiguracja 2 Gig x 32
- Obudowa TFBGA, 315 wyprowadzeń, temperatura robocza od -40°C do +105 °C
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
Mobile LPDDR5
Konfiguracja pamięci
2G x 32bit
Obudowa układu IC
TFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.05V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
64Gbit
Maks. częstotliwość zegara
3.75GHz
Liczba pinów
315Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
105°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001