Drukuj stronę
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR5, 128 Gbit, 4G x 32bit, FBGA, 315 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F4G32D8DV-023 AIT:B
Nr katalogowy Farnell4163480
Karta katalogowa
28 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 115,980 zł |
| 5+ | 1 093,660 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
1 115,98 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F4G32D8DV-023 AIT:B
Nr katalogowy Farnell4163480
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMMobile LPDDR5
Gęstość pamięci128Gbit
Konfiguracja pamięci4G x 32bit
Maks. częstotliwość zegara-
Obudowa układu ICFBGA
Liczba pinów315Pins
Napięcie zasilania, znamionowe-
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B is an automotive mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM.
- Single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation, differential data clocks
- Differential read strobe (RDQS-t/RDQS-c), 16n-bit or 32n-bit prefetch architecture
- Background ZQ calibration/command-based ZQ calibration
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- AEC-Q100 qualified, PPAP capable, ISO 26262 ASIL D compliant development
- 16GB (128Gb) density, 8533Mb/s data rate per pin
- 1.05V VDD2/ 0.50V VDDQ operating voltage, 4 Gig x 32 configuration
- 315-ball LFBGA package
- Operating temperature range from -40°C ≤ TC≤ +105°C (automotive grade)
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
Mobile LPDDR5
Konfiguracja pamięci
4G x 32bit
Obudowa układu IC
FBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
128Gbit
Maks. częstotliwość zegara
-
Liczba pinów
315Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.003744
Śledzenie produktu