Drukuj stronę
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 512M x 64bit, 3.2 GHz, TFBGA, 441 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F512M64D4EK-031 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3861311
Karta katalogowa
370 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 160,530 zł |
| 5+ | 153,310 zł |
| 10+ | 145,630 zł |
| 25+ | 140,400 zł |
| 50+ | 137,570 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
160,53 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F512M64D4EK-031 AIT:B
Nr katalogowy Farnell3861311
Karta katalogowa
Rodzaj DRAMMobile LPDDR5
Gęstość pamięci32Gbit
Konfiguracja pamięci512M x 64bit
Maks. częstotliwość zegara3.2GHz
Obudowa układu ICTFBGA
Liczba pinów441Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.05V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MT62F512M64D4EK-031 AIT:B is a LPDDR5 SDRAM memory device engineered to deliver top-tier reliability and speed in demanding automotive and industrial environments.
- Automotive grade AEC-Q100 qualified
- 512Meg x 64 (512M64) (4 channels x16 I/O) configuration
- 4GB (32Gb) total density and 6400Mb/s data rate per pin
- Operating voltage F = 1.05V VDD2/0.5V VDDQ
- LPDDR5 4 die, cycle time (031) = 313ps, tWCK
- Double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation
- Differential data clocks (WCK-t/WCK-c) and differential read strobe (RDQS-t/RDQS-c)
- Operating temperature (IT) range from -40 to +95°C
- 441-ball TFBGA package
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
Mobile LPDDR5
Konfiguracja pamięci
512M x 64bit
Obudowa układu IC
TFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.05V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
32Gbit
Maks. częstotliwość zegara
3.2GHz
Liczba pinów
441Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Singapore
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002268