Drukuj stronę
MT62F768M32D2DS-023 AIT:C
DRAM, Mobile LPDDR5, 24 Gbit, 768M x 32bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
241 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 301,310 zł |
| 5+ | 289,490 zł |
| 10+ | 277,680 zł |
| 25+ | 274,640 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
301,31 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMT62F768M32D2DS-023 AIT:C
Nr katalogowy Farnell4242605
Rodzaj DRAMMobile LPDDR5
Gęstość pamięci24Gbit
Konfiguracja pamięci768M x 32bit
Maks. częstotliwość zegara4.266GHz
Obudowa układu ICTFBGA
Liczba pinów315Pins
Napięcie zasilania, znamionowe1.05V
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
- Mobile LPDDR5/LPDDR5X SDRAM
- 1.05V VDD2H / 0.5V VDDQ operating voltage, 768 Meg x 32 configuration
- 2 die count, 234ps, tWCK cycle time, automotive grade
- Single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
- Differential command clocks (CK-t/CK-c) for high-speed operation
- Differential data clocks (WCK-t/WCK-c), differential read strobe (RDQS-t/RDQS-c)
- Programmable VSS on-die termination (ODT), non target ODT support
- Single-ended CK, single-ended WCK, and single-ended RDQ
- Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
- Operating temperature range from -40°C to +95°C, package style is 315-ball TFBGA
Specyfikacje techniczne
Rodzaj DRAM
Mobile LPDDR5
Konfiguracja pamięci
768M x 32bit
Obudowa układu IC
TFBGA
Napięcie zasilania, znamionowe
1.05V
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
24Gbit
Maks. częstotliwość zegara
4.266GHz
Liczba pinów
315Pins
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu