Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMICRON
Nr części producentaMTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
Nr katalogowy Farnell3861316
Karta katalogowa
161 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 575,060 zł |
5+ | 489,350 zł |
10+ | 403,600 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
575,06 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMTA18ASF2G72PDZ-3G2R1
Nr katalogowy Farnell3861316
Karta katalogowa
Gęstość pamięci16GB
Prędkość pamięci1.6GHz
Pamięć modułowaPC4-3200
Współczynnik kształtu modułu288-pinowa DDR4 SDRAM RDIMM
Zastosowanie pamięciRDIMM - serwer
Konfiguracja pamięci2G x 72bit
Napięcie zasilania, min.1.14V
Napięcie zasilania, maks.1.26V
Napięcie zasilania, znamionowe1.2V
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MTA18ASF2G72PDZ-3G2R1 to moduł pamięci DDR4 SDRAM o pojemności 16 GB. Jest przeznaczony do użytku w serwerach i środowiskach obliczeniowych o wysokiej wydajności. Zapewnia niezawodną i wydajną pamięć.
- Konfiguracja 2Gig × 72, przepustowość modułu 25,6 GB/s
- Taktowanie pamięci/szybkość transmisji danych 0,625 ns/3200 MT/s, cykle zegarowe 22-22-22 (CL-nRCD-nRP)
- Obsługuje wykrywanie i korekcję błędów ECC, funkcję automatycznego odświeżania przy niskim poborze mocy (LPASR)
- Nominalne i dynamiczne zakończenie na matrycy (ODT) dla sygnałów danych, stroboskopowych i maskujących
- Inwersja magistrali danych (DBI) do generowania i kalibracji magistrali danych i VREFDQ na płytce
- Wbudowany czujnik temperatury I2C ze zintegrowaną pamięcią EEPROM SPD (Serial-Instance-Detection)
- 16 wewnętrznych banków; 4 grupy po 4 banki w każdej i możliwość wyboru BC4 lub BL8 na bieżąco (OTF)
- Stała: BC 4 (burst chop), BL 8 (burst lenght) poprzez zestaw rejestrów trybu (MRS)
- Pozłacane styki krawędziowe, topologia fly-by
- Zakończona magistrala sterowania, poleceń i adresów
Specyfikacje techniczne
Gęstość pamięci
16GB
Pamięć modułowa
PC4-3200
Zastosowanie pamięci
RDIMM - serwer
Napięcie zasilania, min.
1.14V
Napięcie zasilania, znamionowe
1.2V
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Prędkość pamięci
1.6GHz
Współczynnik kształtu modułu
288-pinowa DDR4 SDRAM RDIMM
Konfiguracja pamięci
2G x 72bit
Napięcie zasilania, maks.
1.26V
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Namibia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Namibia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001