MTA9ASF1G72HZ-3G2R1

MTA9ASF1G72HZ-3G2R1 to moduł DDR4 SDRAM high-speed. Moduł DDR4 SDRAM korzysta z architektury 8n-prefetch z interfejsem zaprojektowanym do przesyłania dwóch słów danych na cykl zegara na pinach I/O. Pojedyncza operacja READ lub WRITE dla pamięci DDR4 SDRAM składa się z pojedynczego, czterotaktowego transferu danych o szerokości 8n bitów na wewnętrznym rdzeniu DRAM oraz ośmiu odpowiadających sobie n-bitowych transferów danych o szerokości jednego cyklu zegara na pinach I/O. Moduły DDR4 wykorzystują dwa zestawy sygnałów różnicowych: DQS_t i DQS_c do przechwytywania danych oraz CK_t i CK_c do przechwytywania poleceń, adresów i sygnałów sterujących. Zegary różnicowe i strobowanie danych zapewniają wyjątkową odporność sygnałów na zakłócenia i zapewniają precyzyjne punkty przecięcia w celu przechwytywania sygnałów wejściowych.

• Obsługuje wykrywanie i korekcję błędów ECC
• Nominalne i dynamiczne zakończenie na matrycy (ODT) dla sygnałów danych, stroboskopowych i maskujących
• Automatyczne samoodświeżanie o niskim poborze mocy (LPASR), inwersja DBI dla magistrali danych
• Generowanie i kalibracja VREFDQ na matrycy, jednorzędowe, 16 banków wewnętrznych, 4 grupy po 4 banki każda
• Wbudowany czujnik temperatury I2C ze zintegrowaną szeregową pamięcią EEPROM z czujnikiem obecności (SPD)
• Stałe burst chop (BC) 4, burst lenght (BL) 8 poprzez zestaw rejestru trybu (MRS)
• Możliwość wyboru BC4 lub BL8 OTF, pozłacane styki krawędziowe, topologia fly-by
• Zakończona magistrala sterująca, poleceń i adresowa
• Gęstość modułów 8 GB, konfiguracja 1 Gig x 72, przepustowość modułu 25,6 GB/s
• 260-pinowa obudowa DIMM, komercyjna temperatura robocza 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C