Drukuj stronę
MTA9ASF2G72HZ-3G2F1
Moduł pamięci RAM, 16 GB, PC4-3200, 260-pinowa DDR4 SDRAM SO-DIMM, SODIMM do notebooka
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 985,720 zł |
| 5+ | 1 946,010 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
1 985,72 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentMICRON
Nr części producentaMTA9ASF2G72HZ-3G2F1
Nr katalogowy Farnell4050919
Karta katalogowa
Gęstość pamięci16GB
Prędkość pamięci-
Pamięć modułowaPC4-3200
Współczynnik kształtu modułu260-pinowa DDR4 SDRAM SO-DIMM
Zastosowanie pamięciSODIMM do notebooka
Konfiguracja pamięci2G x 72bit
Napięcie zasilania, min.-
Napięcie zasilania, maks.-
Napięcie zasilania, znamionowe-
Temperatura robocza, min.0°C
Temperatura robocza, maks.95°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
MTA9ASF2G72HZ-3G2F1 is a DDR4 SDRAM SODIMM.
- Fast data transfer rate: PC4-3200, 0°C ≤ TOPER ≤ 95°C commercial operating temperature
- VDD = 1.20V (NOM), VPP = 2.5V (NOM), VDDSPD = 2.5V (NOM)
- Supports ECC error detection and correction, gold edge contacts
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Low-power auto self refresh (LPASR), data bus inversion (DBI) for data bus
- On-die VREFDQ generation and calibration, single-rank
- On-board I2C temperature sensor with integrated serial presence-detect (SPD) EEPROM
- 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each, selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
- 260-pin, small-outline dual in-line memory module (SODIMM)
- 0.625ns at CL = 22 (DDR4-3200) frequency/CAS latency
Specyfikacje techniczne
Gęstość pamięci
16GB
Pamięć modułowa
PC4-3200
Zastosowanie pamięci
SODIMM do notebooka
Napięcie zasilania, min.
-
Napięcie zasilania, znamionowe
-
Temperatura robocza, maks.
95°C
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Prędkość pamięci
-
Współczynnik kształtu modułu
260-pinowa DDR4 SDRAM SO-DIMM
Konfiguracja pamięci
2G x 72bit
Napięcie zasilania, maks.
-
Temperatura robocza, min.
0°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu