Drukuj stronę
MPIM900H212TG5
moduł IGBT, półmostek, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentMULTICOMP PRO
Nr części producentaMPIM900H212TG5
Nr katalogowy Farnell3579390
Karta katalogowa
6 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1 247,260 zł |
| 2+ | 1 185,270 zł |
| 3+ | 1 158,220 zł |
| 5+ | 1 100,070 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
1 247,26 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentMULTICOMP PRO
Nr części producentaMPIM900H212TG5
Nr katalogowy Farnell3579390
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Biegunowość tranzystoraPodwójny kanał N
Prąd kolektora DC900A
Prąd ciągły kolektora900A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Rozpraszanie mocy Pd4.23kW
Rozproszenie mocy4.23kW
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTlutowana
Liczba pinów10Pins
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 5 [Trench]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd kolektora DC
900A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Rozpraszanie mocy Pd
4.23kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
lutowana
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Biegunowość tranzystora
Podwójny kanał N
Prąd ciągły kolektora
900A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
4.23kW
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Liczba pinów
10Pins
Technologia IGBT
IGBT 5 [Trench]
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Great Britain
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Great Britain
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):1.8