Drukuj stronę
BAS40-07,215
Dioda małosygnałowa Schottky'ego, Podwójna, izolowane, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
2 533 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,280 zł |
| 1500+ | 0,250 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
160,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBAS40-07,215
Nr katalogowy Farnell8734364RL
Karta katalogowa
Konfiguracja diodyPodwójna, izolowane
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne40V
Średni prąd przewodzenia120mA
Maks. napięcie przewodzenia1V
Prąd udarowy przewodzenia200mA
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy diodySOT-143
Liczba pinów4Pins
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej-
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BAS40-07,215 is a general-purpose dual Schottky diode in a small SOT143B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Typical applications include ultra-high-speed switching, voltage clamping.
- High switching speed, low leakage current
- High breakdown voltage, low capacitance
- Reverse voltage is 40V maximum at Tj=25°C
- Forward current is 120mA maximum
- Non-repetitive peak forward current is 200mA max at tp ≤ 10ms; Tj(init)=25°C
- Forward voltage is 380mV max at IF=1mA; tp ≤ 300µs; δ ≤ 0.02; pulsed; Tamb=25°C
- Reverse current is 1µA maximum at VR=30V; Tamb=25°C
- Diode capacitance is 5pF max at VR=0V; f=1MHz; Tamb=25°C
- Thermal resistance from junction to ambient is 500K/W max in free air
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja diody
Podwójna, izolowane
Średni prąd przewodzenia
120mA
Prąd udarowy przewodzenia
200mA
Rodzaj obudowy diody
SOT-143
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej
-
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
40V
Maks. napięcie przewodzenia
1V
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
4Pins
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu