Drukuj stronę
BAS70,215
Dioda małosygnałowa Schottky'ego, Pojedyncze, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 901 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,580 zł |
| 50+ | 0,400 zł |
| 100+ | 0,280 zł |
| 500+ | 0,200 zł |
| 1500+ | 0,140 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,90 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBAS70,215
Nr katalogowy Farnell8734429
Karta katalogowa
Konfiguracja diodyPojedyncze
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne70V
Średni prąd przewodzenia70mA
Maks. napięcie przewodzenia1V
Prąd udarowy przewodzenia100mA
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy diodySOT-23
Liczba pinów3Pins
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej-
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BAS70,215 is a general-purpose Schottky diode in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Typical applications include ultra-high-speed switching, voltage clamping.
- High switching speed, low leakage current
- High breakdown voltage, low capacitance
- Reverse voltage is 70V maximum at Tj=25°C
- Forward current is 70mA maximum
- Non-repetitive peak forward current is 100mA max at tp ≤ 10ms; Tj(init)=25°C
- Forward voltage is 410mV max at IF=1mA; tp ≤ 300µs; δ ≤ 0.02; pulsed; Tamb=25°C
- Reverse current is 100nA maximum at VR=50V; Tamb=25°C
- Diode capacitance is 2pF max at VR=0V; f=1MHz; Tamb=25°C
- Thermal resistance from junction to ambient is 500K/W max in free air
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja diody
Pojedyncze
Średni prąd przewodzenia
70mA
Prąd udarowy przewodzenia
100mA
Rodzaj obudowy diody
SOT-23
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej
-
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
70V
Maks. napięcie przewodzenia
1V
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
3Pins
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze BAS70,215
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu