Drukuj stronę
BSS123,215
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,140 zł |
| 50+ | 0,600 zł |
| 100+ | 0,450 zł |
| 500+ | 0,350 zł |
| 1500+ | 0,320 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
5,70 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBSS123,215
Nr katalogowy Farnell1510764
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu150mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”6ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2V
Rozproszenie mocy250mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BSS123 firmy NXP to N-kanałowy tranzystor z kanałem wzbogaconym do montażu powierzchniowego, w obudowie SOT-23 oraz wykorzystujący technologię TrenchMOS. Tranzystor ten wykazuje się bardzo dużą prędkością przełączania oraz kompatybilnością poziomu logicznego. BS123 jest odpowiedni do sterowników liniowych dużej prędkości, elementów dzwoniących telefonu oraz sterowników przekaźnikowych.
- Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
- Napięcie bramka-źródło: ±20V
- Ciągły prąd drenu (Id): 150mA
- Strata mocy (Pd): 250mW
- Zakres roboczej temperatury połączeniowej: od -55°C do 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
150mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
250mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
6ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu