Drukuj stronę
BST52,115
Tranzystor Darlingtona, Darlingtona, NPN, 80 V, 1.3 W, 1 A, SOT-89, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 2,160 zł |
| 200+ | 1,790 zł |
| 500+ | 1,620 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
236,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBST52,115
Nr katalogowy Farnell8735026RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo80V
Maks. napięcie kolektor-emiter80V
Rozpraszanie mocy Pd1.3W
Prąd ciągły kolektora1A
Prąd kolektora DC1A
Rozproszenie mocy1.3W
Obudowa tranzystora RFSOT-89
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE1000hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Min. wzmocnienie prądu DC hFE2000hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The BST52 is a NPN Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial switching applications such as print hammer, solenoid, relay and lamp driving.
- High current
- Low voltage
- Integrated diode and resistor
- PNP complements are BST60, BST61 and BST62
- AS3 Marking code
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter
80V
Prąd ciągły kolektora
1A
Rozproszenie mocy
1.3W
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
80V
Rozpraszanie mocy Pd
1.3W
Prąd kolektora DC
1A
Obudowa tranzystora RF
SOT-89
Wzmocnienie prądu DC hFE
1000hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
2000hFE
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hong Kong
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000199