Drukuj stronę
5 212 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,810 zł |
| 50+ | 1,390 zł |
| 250+ | 0,950 zł |
| 1000+ | 0,660 zł |
| 2000+ | 0,650 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,05 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBUK98150-55A/CUF
Nr katalogowy Farnell3439698
Asortyment produktówTrenchMOS
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds55V
Prąd ciągły Id drenu5.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.137ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSC-73
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.5V
Rozproszenie mocy8W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchMOS
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The BUK98150-55A/CUF from NEXPERIA is a Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.
- Suitable for 12V & 24V loads, automotive & general purpose power switching and motors, lamps & solenoids
- Low conduction losses due to low on-state resistance
- Q101 compliant
- Suitable for logic level gate drive sources
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
5.5A
Rodzaj obudowy tranzystora
SC-73
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
8W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
55V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.137ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.5V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
TrenchMOS
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu