Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,870 zł |
| 500+ | 1,420 zł |
| 1000+ | 1,280 zł |
| 5000+ | 1,250 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
207,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBLS6022D,115
Nr katalogowy Farnell1829332RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN60V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP60V
Prąd ciągły kolektora, NPN1.5A
Prąd ciągły kolektora, PNP1.5A
Rozproszenie mocy, NPN480mW
Rozproszenie mocy, PNP480mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN285hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP285hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-457
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP150MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
PBLS6022D to przełomowy tranzystor małosygnałowy BISS PNP 1.5A, który jest umieszczony w plastikowej obudowie do montażu powierzchniowego.
- Niska wartość VCEsat i tranzystor z rezystorem - w jednej obudowie
- Rozwiązanie oszczędzające przestrzeń
- Mniejsza liczba komponentów
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Niska wartość progowa (<1 V) w porównaniu do MOSFET-ów
- Kod znakujący KF
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
60V
Prąd ciągły kolektora, PNP
1.5A
Rozproszenie mocy, PNP
480mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
285hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
150MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
60V
Prąd ciągły kolektora, NPN
1.5A
Rozproszenie mocy, NPN
480mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
285hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-457
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000011
Śledzenie produktu