Drukuj stronę
PBSS5130PAP,115
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny PNP, 30 V, 1 A
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
2 739 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 4,210 zł |
| 10+ | 2,600 zł |
| 100+ | 1,710 zł |
| 500+ | 1,610 zł |
| 1000+ | 1,580 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 5
Wiele: 5
21,05 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBSS5130PAP,115
Nr katalogowy Farnell2291483
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP30V
Prąd ciągły kolektora, NPN-
Prąd ciągły kolektora, PNP1A
Rozproszenie mocy, NPN-
Rozproszenie mocy, PNP2W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP120hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-1118
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP125MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
30V
Prąd ciągły kolektora, PNP
1A
Rozproszenie mocy, PNP
2W
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
120hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
125MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora, NPN
-
Rozproszenie mocy, NPN
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
-
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-1118
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000002