Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTB113ZT,215
Nr katalogowy Farnell1510751RL
Asortyment produktówPDTB113Z Series
Karta katalogowa
4 299 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,340 zł |
| 1500+ | 0,300 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
190,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTB113ZT,215
Nr katalogowy Farnell1510751RL
Asortyment produktówPDTB113Z Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPojedynczy PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP50V
Prąd ciągły kolektora500mA
Rezystor R1 wejście bazy1kohm
Rezystor R2 baza-emiter10kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy250mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE70hFE
Asortyment produktówPDTB113Z Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
PDTB113ZT to tranzystor RET PNP 1 do 10kΩ umieszczony w małej obudowie plastikowej do montażu powierzchniowego.
- Redukuje koszty rozmieszczania
- Wbudowane rezystory polaryzacyjne
- Upraszcza projektowanie obwodu
- Redukuje liczbę komponentów
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Współczynnik tolerancji rezystora: ±10%
- Uzupełniający rodzaj NPN: PDTD113ZT
- Kod znacznikowy: 7W
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Pojedynczy PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
50V
Rezystor R1 wejście bazy
1kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
PDTB113Z Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rezystor R2 baza-emiter
10kohm
Liczba pinów
3 piny
Rozproszenie mocy
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
70hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00001
Śledzenie produktu