Drukuj stronę
PDTC114ET,215
Bipolarny tranzystor Pre-Biased /cyfrowy, BRT, Pojedynczy NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTC114ET,215
Nr katalogowy Farnell1217269
Asortyment produktówPDTC114E Series
Karta katalogowa
20 720 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,510 zł |
| 50+ | 0,310 zł |
| 100+ | 0,200 zł |
| 500+ | 0,140 zł |
| 1500+ | 0,130 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,55 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTC114ET,215
Nr katalogowy Farnell1217269
Asortyment produktówPDTC114E Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora100mA
Rezystor R1 wejście bazy10kohm
Rezystor R2 baza-emiter10kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy250mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE30hFE
Asortyment produktówPDTC114E Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
PDTC114ET,215 jest tranzystorem NPN wyposażonym w rezystor. Umieszczony jest w plastikowej obudowie do montażu powierzchniowego. Posiada 3 wyprowadzenia, wbudowane rezystory polaryzacyjne. Upraszcza projektowanie obwodów i redukuje liczbę komponentów.
- Wydajność prądu wyjściowego: 100mA
- Redukuje koszty rozmieszczania
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Pojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Rezystor R1 wejście bazy
10kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
PDTC114E Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rezystor R2 baza-emiter
10kohm
Liczba pinów
3 piny
Rozproszenie mocy
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
30hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (4)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze PDTC114ET,215
Znaleziono 6 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000454
Śledzenie produktu