Drukuj stronę
PDTC123JT,215
Bipolarny tranzystor Pre-Biased /cyfrowy, BRT, Pojedynczy NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTC123JT,215
Nr katalogowy Farnell8737142RL
Asortyment produktówPDTC123J Series
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,240 zł |
| 1500+ | 0,210 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
140,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPDTC123JT,215
Nr katalogowy Farnell8737142RL
Asortyment produktówPDTC123J Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora100mA
Rezystor R1 wejście bazy2.2kohm
Rezystor R2 baza-emiter47kohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Rozproszenie mocy250mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Asortyment produktówPDTC123J Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
PDTC123JT to tranzystor RET NPN 2,2 do 47 kR umieszczony w małej obudowie plastikowej do montażu powierzchniowego.
- Redukuje liczbę komponentów
- Wbudowane rezystory polaryzacyjne
- Redukuje koszty rozmieszczania
- Upraszcza projektowanie obwodu
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Uzupełnieniem PNP jest PDTA123JT
- Kod znakowania 25
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Pojedynczy NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Rezystor R1 wejście bazy
2.2kohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
PDTC123J Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rezystor R2 baza-emiter
47kohm
Liczba pinów
3 piny
Rozproszenie mocy
250mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008